盛世清北考研怎么样()

盛世清北考研怎么样,

考研过程中需要及时而精准的信息,而考试资料是金榜提名的充分条件。选好资料是个技术活儿,我们要仔细甄别,不浪费自己花出去的每一分钟。盛世清北十年来专注清北硕博辅导,为帮助考生少走弯路,整理如下北大824半导体物理相关资料,以供参考。

考情分析

真题解读:

经近几年的历年真题分析,盛世清北老师得出如下结论:

解读:

1、汇丰微电子学与固体电子学专业课历年考试难度大,考题较为灵活,与社会热点关联更深。同时,也关注考生的知识面。

2、报考北大也需要有扎实的基础,并非通过所谓的押题和划重点就能考上的。

历年分数线

解读:

根据近3年分数线及复试情况,盛世清北老师分析如下:

(1)近三年来,各科目分数线趋于平稳状态,而总分数线存在波动,且2022年分数线最高;意味着难度在逐步增加,应更加重视专业课的复习,要早复习,避免走弯路。

(2)三年中,最低分320分,最高分413分。也就是说需要考到320-413分,才有机会进入复试。

(3)录取人数2020年为29人,2021年为25人,2022年为21年,录取人数在减少,竞争越来越激烈。

(4)北大汇丰微电子学与固体电子学硕士的复试录取比例较大,复试会淘汰一部分,要非常重视复试。

考点梳理(仅供参考,可能会随年份变化,可咨询盛世清北老师)

1、半导体晶体结构和半导体的结合性质;

2、半导体中的电子状态:半导体能带的形成,Ge、Si、GaAs能带结构,有效质量、空穴、杂质和缺陷能级;

3、热平衡下半导体载流子的统计分布:状态密度、费米能级、本征半导体和杂质半导体的载流子浓度,简并半导体和重掺杂效应;

4、半导体的导电性:半导体导电原理,载流子的漂移运动、迁移率、散射机构,半导体电阻率(电导率)随温度和杂质浓度的变化规律,强电场效应、热载流子,负阻效应;

5、非平衡载流子:非平衡载流子与准费米能级,非平衡载流子注入与复合,复合理论,非平衡载流子寿命,爱因斯坦关系,载流子漂移、扩散运动,缺陷效应,连续性方程;

6、pn结:平衡与非平衡pn结特点及其能带图,pn结的I-V特性、电容特性、开关特性、击穿特性;

7、 金属和半导体接触:半导体表面态,表面电场效应,金属与半导体接触特性、MIS结构电容-电压特性,

8、半导体异质结:异质结的形成机理、能带图;

9、半导体的光学性质及光电效应:半导体的光吸收,半导体光电导,半导体光生伏特效应,半导体发光及半导体激光器;

10、半导体热电、磁电及压阻效应:半导体热传导及热电效应,半导体的霍耳效应,半导体的压阻效应。

参考书(仅供参考,可能会随年份变化,可咨询盛世清北老师)

半导体物理学(第7版),刘恩科 、朱秉升 、罗晋生,电子工业出版社,2011-03

真题试题

2018北大半导体物理考题回忆

一、名词解释

受主、雪崩击穿、异质结、费米钉扎(还有两个记不清了,历年真题中可以找到)

二、半导体A、B的电导率-温度曲线如下

1.说明A、B半导体的类型,并说明原因

2.A、B分别产生如下曲线的机制是什么

三、题干给出了两种材料(n型Eg较窄,p型Eg较宽)的能带图,画出这两种材料形成异质结后在如下情形的能带图

1.无外加偏压

2.施加反向偏压Va

四、p-mos管(n型衬底)中,Wm,SIO2层厚度及介电常数已知,< p>

SiO2层中存在以密度为常数ρ的电荷分布

1.写出平带电压表达式

2.画出平带时的能带图

五、PN结P型区及N型区均均匀掺杂,浓度为Na,Nd

1.算出施加正向偏压Va时p区边界少子浓度

2.画出正偏时I-V曲线

3. Na,Nd很小时,I-V曲线与理想曲线有什么区别

六、同时在Si中掺入Na,Nd,Na>Nd

1.写出电荷守恒表达式

2.写出低温区Ef与T的关系

3.示意在能带图中画出Ef随T的变化曲线

随着考研热度的提升,考研难度也越来越大,想要考入心仪的院校和专业,就要在激烈的竞争中脱颖而出。而在这背后,则少不了充分的复习和加倍的努力。所以,加油吧,考研人!

以上就是盛世清北小编整理的“北大824半导体物理考研笔记汇总”相关内容,更多北京大学研究生招生考试相关内容尽在盛世清北-北大考研栏目!愿你考研路上一帆风顺!

盛世清北考研怎么样()

想获得更多考研相关资料

京ICP备14027590号